技术编号：5102628
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体装置的方法，且更具体而言，涉及具有多孔绝缘膜的。背景技术 最近比原来具有更高程度的集成和尺寸缩小的半导体装置造成了由于布线的时间常数所导致的电信号延迟的严重问题。该问题通过用低电阻率的铜(Cu)取代铝制造多层结构的布线解决。不幸的是，与过去的多层布线结构中使用的例如铝的其他金属性材料不同，铜难以进行用于构图的干法蚀刻。此缺点通过采用镶嵌法而克服，镶嵌法包含在绝缘膜中形成布线沟槽并在该布线沟槽中嵌入铜膜，因此形成布线图案。上述步骤可以通过...
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