技术编号：5119176
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，包括如下步骤(1)预冷将500-700℃的原料半焦冷却至103-107℃；(2)水合与冷却对预冷后的半焦进行加湿，使半焦的含湿量达到6wt％-8wt％，同时，对半焦进行冷却，使半焦的温度进一步降低至47-53℃；(3)氧化将水合与冷却得到的半焦在有氧环境中平铺堆放，使半焦层厚度为10厘米，使半焦在敞开环境中暴露的时间保持在2小时以上。本发明的方法工艺过程简单、易于控制，并且可以降低产品的粉化程度，所使用的设备简单、设备投资成本低。专利说明...
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