技术编号:5130065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法,其中该半导体装置包括由导体或半导体组成的微粒和有机半导体分子形成的导电路径。背景技术在电子电路中,特别地在显示器等中使用的有源矩阵电路中,薄膜晶体管(此后简称为“TFT”)被广泛用作开关元件。目前,大多数TFT是Si无机半导体晶体管,其在半导体层(沟道层)内使用无定形(α-Si)或多晶硅(Poly-Si)。在这些晶体管的制造中,在半导体层的形成中使用等离子化学汽相沉积(此后简称为“CVD”)等,因此工艺成本高。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。