技术编号：5133687
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，并更具体地涉及一种具有铁电电容器的半导体器件。然而，磁盘器件体积庞大，容易受到机械撞击并且耗电量大。磁盘器件的另一缺陷是在信息读/写操作过程中存取速度低。为了克服此缺陷，近年来经常使用EEPROM或闪存作为永久性辅助存储器，这些存储器是通过在浮动栅极上积累电荷而储存信息的。具体地，闪存具有与DRAM相似的单元结构并且能高集成密度地形成。因此，与磁盘器件相比，闪存正引人注意地成为一种大规模存储器。在EEPROM或闪存中，通过隧道绝缘...
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