技术编号：5264363
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，属纳米无机化合物半导体材料制造工艺。背景技术 硫化铅是一种重要的半导体材料，其体材料的激子玻尔半径为18nm，是一个直接跃迁的窄带半导体，禁带宽度为0.41eV。将硫化铅制备成为尺寸在几十纳米以下时，由于其尺寸小，比表面积大，产生量子效应，纳米尺度的硫化铅能带从近红外蓝移到可见光区域，经检测具有紫外吸收和荧光发射等光学性质。这些特性其在非线性光学装置、IR探测器和显示装置，Pb2+离子选择性传感器，生物荧光探针和发光二极管等方面得到广泛应用...
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