技术编号：5264406
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料，特别涉及一种氧化铟锡(ITO)单分 散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。背景技术伴随着液晶显示的发展，用于透明电极的铟锡氧化物(ITO)需要量急 剧增加。目前，世界上的发达国家如日本、美国、法国等，将90%的铟用于 制备ITO的材料。它们普遍采用铟锡氧化物制成靶材，然后用直流磁控溅射 法将靶材制成ITO薄膜。这种薄膜对可见光透明，能强烈反射红外光，有低 的膜电阻，因而在液晶显示、隔热玻璃、太阳能电池和收集器、车辆窗口去 雾防霜等方面获得日...
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