技术编号：5264540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及现代集成电路技术、硅MEMS技术、原子光刻与沉积技术以及其他纳米 加工，特别涉及。背景技术在现有的纳米制造技术中，由于光学光刻技术的不断创新，一再突破人们预期的 光刻极限，而且其性能稳定、技术成熟、低成本，光学光刻技术依然是当前光刻的主流技术。 但由于其技术特点的制约，光学光刻技术存在着诸多的缺陷。电子束曝光和离子束曝光可 以制作小到几个纳米的图形或微结构，但是它们的设备复杂、昂贵，生产率低，很难用于大 规模生产。至于正在开发的极紫外光刻技术，由...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。