技术编号：5264881
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及于纳米材料制备，特别是一种，所制备的尺度可控的氮化硅纳米线短波长发光材料可应用于光电子信息和纳米技术等领域。背景技术近年来，我国光电子信息技术产业迅猛发展，在国民经济和国防现代化建设中发挥了极其重要的作用，对光存储和光通信的关键材料——半导体激光器材料提出了更加苛刻和迫切的要求。氮化物纳米线半导体材料，如氮化硅、氮化镓和氮化铝纳米线是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，是目前已知的最佳短波激光器材料，在发射波长主要集中在400 700nm之间范围...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。