技术编号：5264919
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜的制备方法，尤其是一种。背景技术二氧化钛是一种宽带隙半导体，具有良好的光电、光敏、气敏等特性。纳米二氧化钛因其具有较大的比表面积，以及在多方面展现出的优异性质而越来越引起人们的广泛关注。目前，人们为了获得纳米二氧化钛材料，做出了不懈的努力，如在“Ti02纳米管薄膜的制备及其光电化学性能的研究”(吴晓萌，中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技I辑，2008年8月公开)一文第31 53页公开了一种TiO2纳米管薄膜和其制备方法。该TiO2纳米...
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