技术编号：5264926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米电子器件，特别涉及一种采用原子层沉积和电子束诱导沉积技术制备室温单电子晶体管的方法。背景技术以金属氧化物半导体场效应晶体管器件为主流的集成电路的特征尺寸已发展到纳米量级，应用受到限制，进一步研发新的纳米尺寸的电子逻辑器件成为发展需求。单电子晶体管具有尺寸小、功耗低、可大规模集成等优点，具有广泛的应用前景，可用于计算机、传感器、探测器等各类应用领域。典型的单电子晶体管由源极、漏极、栅极和库仑岛组成，是基于库仑阻塞效应和单电子隧穿效应的纳米电子器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。