技术编号：5265268
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种添加钇元素作为助剂制备纳米氮化铝粉体的方法，属于材料科学。背景技术氮化铝陶瓷(AlN)具有高的热导率、与硅相匹配的线膨胀系数、低的介电常数、优良的电绝缘性能、耐腐蚀以及环保无毒等特点，已经替代氧化铝与氧化铍成为目前超大规模集成电路基板的首选材料，在现代电子与微电子等高新得到了广泛的应用。但由于氮化铝属于共价化合物，自扩散系数小，导致难以烧结致密，即便在1900 ！以上的高温下烧结也达不到理论密度的90%，同时获得的氮化铝陶瓷热导率也远低于理论...
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