技术编号：5265414
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于ー种封装结构，特别是，关于一种封装件互连结构。背景技术已提供晶圆级封装来将晶圆堆栈在一起以制造极度紧密的电子封装件。硅穿孔信道(TSV, through silicon via)エ艺是为使用晶圆级封装的ー种技术。其可实现小型装置的生产以及晶圆的堆栈以提供整合。虽然TSV可提供较高的可靠度以及较少的寄生效应，然而，其需要长的エ艺时间以蚀刻深孔，例如，大约150μπι的深度。此外，TSV是为相当昂贵的技木，且亦产生可能影响良率的高应力。此减少生产量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。