技术编号：5265436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于器件材料力学性能测试，具体涉及相变存储器中材料相变致应力的测量装置，即一种测量相变存储器应力的MEMS传感器；本发明包括了这种MEMS传感器结构的制备工艺。背景技术PCRAM相变存储器由于具有高速，优秀的尺寸缩小能力等特点被看好有望取代 Flash成为下一代的非易失性存储器。要实现PCRAM的商用化，需要解决PCRAM芯片在应用中的可靠性问题。提高PCRAM芯片的可靠性对于其商用化至关重要。为了提高PCRAM器件的可靠性，需要对存储单元进行失效分...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。