半导体器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:5265603

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本发明涉及一种使用了碳纳米管的。背景技术 对于半导体器件的微小化的要求增高,与此相伴,还需要提高配线所需的电流密度。根据国际半导体技术细则(2002年),预想在2005年后,半导体设备所需的最大配线电流密度接近2×106(A/cm2),而这是以往的Cu配线等无法实现的。作为可解决该问题的配线材料的一个候补,可以举出碳纳米管。碳纳米管的最大配线电流密度为109(A/cm2)台,将近Cu配线的1000倍。另外观测出,一根碳纳米管其电阻相当于约6kΩ的量子化电阻...
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