技术编号：5265822
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅微/纳米线阵列的制备方法，更具体地说是一种通过金属催化化学刻蚀硅的微/纳米线阵列的制备方法。背景技术近些年，一维硅微/纳米线的半导体性，机械性，光学性，以及纳米器件的前景应用引起了广泛的关注。硅微/纳米线已经成功地使用于场效应晶体管、生物化学传感器、集成逻辑器件、太阳能电池、锂电池阳极、p-n结等器件。合成硅微/纳米线很多方法，例如VLS生长法、氧辅助生长法(OAG)和SLS生长法，但这些合成的硅微/纳米线具有典型的随机方向性，(尺寸的问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。