技术编号：5265987
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅纳米孔洞的加工和制备，具体涉及。背景技术随着微纳加工技术的发展，可实现的结构尺寸越来越小，加工精度也越来越高。但是任何制备手段都有误差，特别是需要经过多步加工工艺才能实现的结构，实验结果和设计的期望相差很大。尽管人们采用多种方法来优化工艺参数以尽量减小误差，但是由于制备工艺而带来的尺寸偏移仍然不可避免。以最常用的MEMS纳米孔加工工艺为例，制备工艺一般至少包含光刻工艺和刻蚀工艺。由于制备过程中光的衍射效应(紫外曝光)或邻近效应(电子束曝光)、显...
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