技术编号：5266039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硫化铋制备方法，具体涉及绒球状三硫化二铋和采用溶剂热/水热法制备绒球状三硫化二铋的方法。背景技术Bi2S3是一种直接窄带隙半导体材料，其能隙是I. 3eV，广泛应用于光电池材料、光电二极管材料、传感器和催化领域。近年来已通过采用溶剂热/水热法、微波法和模板法制备出了颗粒状、棒状、刺猬状和花状的硫化铋。例如，《无机化学学报》(2008年，Vol. 24No. 4，547 552)报道了湘潭大学张琪等人使用聚乙二醇辛基苯基醚+烷基酚聚氧乙烯醚、烷基酚...
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