技术编号：5266240
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术宽禁带(E>2. 3eV)的SiC是ー种间接带隙的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场大、电子饱和漂移速度快、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等显著优点，在光电子材料领域有巨大的应用价值。随着纳米科技的兴起，低维材料的光学、电学、力学和磁学等性质因维度和尺寸效应而表现出与块体材料不同的性质。SiC纳米线作为一种ー维半导体纳米材料，在光电子材料领域有着巨大的应用价值，已引起国内外研究学者的广泛关注。掺杂是...
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