技术编号：5266376
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双相(四方相和正交相)共存的一维结构二氧化锡制备方法，属于无机纳米材料合成。背景技术二氧化锡是一种重要的宽禁带n型半导体功能材料，有四方和正交两种变体，它具有许多独特的光学、电学及催化性能，被广泛用于半导体玻璃、太阳能电池和气体传感器中。二氧化锡的性能与其形貌、结构、比表面等有很强的相关性。一维结构二氧化锡由于其特殊的形貌、结构、大比表面等特性，具有比传统的块体或颗粒SnO2更好的光学、电学和催化性能和其它新颖的性能，可望作为新型催化剂，或新...
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