技术编号：5266406
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁场探测，具体涉及一种斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。背景技术1974年，Slonczewski提出在铁磁层/绝缘层/铁磁层结构中存在隧道巨磁阻效应，当两铁磁层磁化方向平行或反平行时，隧道结将有不同的电阻值。铁磁层/绝缘层/铁磁层三明治结构产生自旋隧穿效应的原理是电子隧穿非磁性层的位垒而产生隧穿电流。当两铁磁层的磁化方向平行时，一铁磁层中的多数自旋子带的电子将进入另一铁磁层的多数子带的空态，同时少数自旋子带的电子也从一个铁磁层进入另一个铁磁...
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