技术编号：5266411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及领域。背景技术 碳化硅材料自问世以来，以优良的耐高温、耐磨耗、耐腐蚀、高强度和高导热性能，作为各种制品应用不同领域。并因其具有的宽禁带、高击穿电场、高漂移饱和速度和高热导率在大功率和高频率器件应用方面具有巨大潜力。而一维SiC纳米线的弹性、硬度、韧性等机械性能都比SiC块体、SiC晶须要高，因此一维SiC纳米线成为陶瓷、金属、聚合物材料增强剂的极有希望的材料。而且一维SiC纳米线还是具有出色电学性能的半导体，高的导热率(350～490w/mk)，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。