技术编号：5266436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料制备，涉及利用水热法制备出形貌均一的多孔纳米空心球的合成方法，特别涉及一种。背景技术硒化物半导体材料的带隙一般在O. 3到3. O eV之间，是一种重要的直接带隙型半导体材料，具有优良的半导体性质，在半导体发光器件、光电器件、热电装置等方面都有着非常广阔的应用前景。对于它们的制备方法以及光、电、磁等性质的研究，己成为目前人们关注的焦点。因而，近些年来，人们对硒化物半导体纳米材料的制备方法、性能以及应用进行了大量的研究，并取得了一定的成就。...
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