技术编号：5266680
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术中的深亚微米、纳米加工，尤其涉及 一种利用场致发射产生的电子束制作纳米级图形的方法。背景技术随着半导体产业的飞速发展，器件的特征尺寸已全面地从深亚微米进 入到纳米尺度。纳米级图形加工的能力成了决定集成电路继续按摩尔定律 继续向下推进的关键。同时随着纳米科学的蓬勃兴起，纳米级图形加工也 成为了纳米技术发展的基础。目前， 一般采用浸没式光刻技术、聚焦电子束光刻实现纳米级图形加 工。但是，上述浸没式光刻技术实现成本高的问题，聚焦电子束光刻技术...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。