技术编号：5266683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术中的MEMS制造，尤其涉及一种 。背景技术在MEMS器件中，有相当一部分是含有绝热空腔的器件。例如， 在绝热空腔上的薄膜上制作热敏电阻，用以测量一些基于热效应的物 理量(如速度、剪切力等)。绝热空腔的形成可以通过体硅加工键合工艺，或通过硅基表面微 机械加工来完成。而硅基表面微机械加工技术是一个重要技术，避免 了纵向的体硅深加工，与集成电路工艺有更好的兼容性，有利于器件 和处理电路的集成。在硅基表面微机械加工过程中，如果运用"牺牲层"技术...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。