技术编号：5266721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在硅上无金属合成外延半导体納米线的方法 发明领域本发明涉及在硅衬底上生长III-V半导体納米线的方法。本发明 特别涉及不使用Au或任何其它金属作为催化剂生长纳米线的方法。背景技术近年来，对半导体纳米线(NWs)的关注增加。纳米线也称为纳 米须、纳米杆和納米柱等。对于本发明，术语納米线用于表示包括基 本为一维形式的一维纳米元件(其宽度或直径为纳米尺度)的纳米结 构。以纳米级控制该一维生长为材料的联合、机械和电磁性能的控制 和新型器件的设计提供难得的机会。为使...
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