技术编号：5266883
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种微电子技术，尤其涉及一种。技术背景目前，平面型硅器件特征尺寸的不断縮小，推动了微电子学器件和电路性能和集成度 的提高，实际上，今天的微电子学领域硅器件的特征尺寸已经在100nm以下，已经是真正意 义上的"纳米电子学"。针对纳米尺寸的器件，目前有两种制造方法 一种是自上而下 (t叩-down)的方法，另一种是自底向上(bottom-up)的方法。目前应用广泛的纳米结构包括纳米带、纳米线、纳米颗粒、量子点等，纳米线是指对 应的横向尺寸被限制在10...
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