技术编号：5266984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例 一般涉及纳米级电子器件和纳米级光电子器件。更 具体地，本发明的实施例涉及在非单晶基底上形成纳米结构的方法以及 得到的结构和器件。背景技术集成电路的制造商和设计者继续不懈地减小诸如晶体管和信号线的 集成电路功能元件的尺寸，并且对应地提高可以在集成电路中制造功能 元件的密度。例如，下一代集成电路和数据传输体系架构可以包括电子 器件和光电子器件，以产生高密度、高速度和高容量的器件。制造商和 设计者已经开始接近基本物理极限，所述物理极限阻止进一步减...
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