技术编号：5267035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅上半导体纳米线的生长。具体而言，该发明涉及与Si衬底的表面正 交突出的III-V半导体的生长。背景技术近几年来，对半导体纳米线的兴趣得到加强。纳米线也被称为纳米须、纳米棒和纳 米柱等等。对于本申请来说，术语纳米线要被解释为处于基本处于一维形式并且即在其宽 度或直径上具有纳米尺寸的结构。这种结构通常被称为纳米须、一维纳米元件、纳米棒、纳 米柱、纳米管等等。尽管这些术语隐含细长形状，但是纳米线可具有例如金字塔形状。往往 纳米线被认为具有不大于IOO...
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