多层线路导通型晶圆级微机电系统芯片的制作方法技术资料下载

技术编号:5267093

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本发明涉及晶圆级微机电系统芯片,尤其是一种多层线路导通型晶圆级 微机电系统芯片。背景技术目前晶圆级微机电系统(英文简称MEMS)芯片穿透硅通孔(英文简称TSV)封装 技术制作过程中,普遍采用单层线路布线形式,通过前工序露出晶圆内部导电块(英文简 称pad),溅镀铝,光阻涂布曝光显影,镀镍,去光刻胶,去光刻胶层的铝,刻蚀,镀镍金,防焊 层涂布曝光显影,锡膏印刷,回流焊等工艺使晶圆内外部电性互联,制作出所需要的线路及 球栅阵列(英文简称BGA)焊垫,通过上述工...
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