对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法技术资料下载

技术编号:5267095

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本发明涉及一种纳米加工技术,尤其涉及一种在薄膜金属材料上通过电子束曝光生成极限纳米图形时针对临近效应的改善方法。 背景技术半导体、纳米器件技术的发展很大程度上依赖于微纳米加工技术的不断进步。 随着电子束曝光技术的普遍采用及不断发展,目前对半导体材料或薄膜金属材料的图形 加工能力已经达到纳米量级。电子束曝光无需用到掩膜,可以通过软件设计任意形状 的加工图形,使用灵活方便;并且具有极精细的加工能力,目前已经通过该技术得到了 10nm的线条。 但对于部分金属材料...
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