技术编号：5267202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子材料、半导体材料与器件，具体地说是一种在硅衬底 上生长vo2纳米花结构的相变材料及其制备方法。背景技术V02作为一种热致相变化合物，单晶状态下在温度t " 68°C附近会呈现出明显的 金属-半导体相变特点。当温度低于6『C时，V(^处于半导体态，为单斜晶系结构；当温度 高于6『C时，V(^转变为金属态，具有四方金红石结构，而且相变非常迅速。伴随着相变的 发生，它的许多物理性质，如折射率n、反射率R以及电阻率等均发生突变，其中电阻率的变 化幅...
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