技术编号：5267344
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用。 背景技术在过去四十多年中，硅基CMOS技术通过缩小特征尺寸来提高性能，然而当半导体 技术发展到纳米尺度后，硅集成电路技术日益逼近其技术极限，采用新材料与新结构来提 升CMOS的性能 已经成为延续摩尔定律的一个重要方向。在新材料方面，采用高迁移率沟道材料是提高晶体管饱和驱动电流、缩短栅延迟 时间的有效方法，而且可以延长集成电路生产线的使用寿命。III-V族半导体材料的室温电 子迁移率大约是...
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