技术编号：5267553
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能光伏材料领域，涉及一种Cu2ZnSnS4半导体纳米晶的制备方法。 背景技术随着社会经济的不断发展，能源问题已经成为全人类生存和发展所面临的重大问 题。将太阳能转换为电能的光伏技术是未来解决能源问题的重要手段。降低器件成本，提 高器件效率是从事太阳电池研究者所追求的目标。高质量纳米晶合成技术的进步为低价高效的太阳电池器件提供了广阔的前景。纳 米晶太阳电池因材料成本低、制作工艺简单等优点备受关注。已有很多关于Cu2S, CdTe, PbSe, ...
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