技术编号：5267601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。所属领域本发明涉及一种，属于半导体光电子材料及器件领域。背景技术在半导体光电子器件(如半导体激光器等)和其他电子器件(如共振遂穿器 件等)中引入量子结构已有数十年的发展历史了，这些器件已在不同领域获得了广泛应 用，并且对人们深入理解和发展各种量子理论起到重要作用。目前，应用化合物半导体材 料构成量子结构主要采用各种薄层外延方法，如分子束外延(MBE)，金属有机物气相外延 (MOCVD)等，但主要还是基于异质材料构成量子结构。例如以GaAs为衬底，人们发展了...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。