技术编号：5267821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造领域，具体涉及一种干法刻蚀工艺方法，尤其涉及一种。背景技术在微机电系统(MEMS)的一种压敏传感器件制程中，作为传感薄膜的伸缩空间空腔(cavity)必须通过在晶圆表面的刻蚀(ETCH)工艺来完成。空腔侧壁的坡度(profile angle)是由干法刻蚀(DRY ETCH)工艺控制的，空腔侧壁的坡度直接影响到后续牺牲层的填充和湿法刻蚀工艺，坡度越小，后续的这两项工艺窗口越大，牺牲层容易填充平缓，湿法刻蚀中药液容易进入腔体。干法刻...
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