技术编号：5267948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种微电子制造工艺中的平坦化技术和光刻技术，尤其是一种用于 MEMS结构的悬架光刻胶平坦化工艺。背景技术在微电子机械系统(MEMQ器件中，特别是加速度传感器、压力传感器、光电器件、 射频器件等中，常需要在较大的台阶和沟槽之上制作悬空结构和可动元件，如微悬臂梁端部跨越释放沟槽的电极。常用的方法是先沉积一层牺牲层材料，在牺牲层上制作结构或器件后再腐蚀牺牲材料释放结构。然而MEMS结构中往往包含高深宽比的沟槽，较高的台阶会导致牺牲层及其上薄膜的起伏，常...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。