技术编号：5268014
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于材料科学。 背景技术氮化铝陶瓷具有高的热导率、与硅相匹配的线膨胀系数、低的介电常数、优良的电 绝缘性能、耐腐蚀以及环保无毒等特点，已经替代氧化铝与氧化铍成为目前超大规模集成 电路基板的首选材料，在现代电子与微电子等高新得到了广泛应用。然而，氮化铝 属于共价化合物，其自扩散系数小，导致其难以烧结致密。为降低氮化铝陶瓷的烧结温度， 研究者大多通过添加合适的烧结助剂，利用烧结助剂与氮化铝表面的氧化铝或者氮化铝本 身反应生成低共熔物，再以液相烧结来...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。