技术编号：5268243
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可再生能源技术、电学技术、纳米技术(Nano technology)、光学技术 和半导体物理和器件技术等。背景技术在P型半导体和N型半导体的紧密接触处，由于扩散形成空间电荷区(图1)。空 间电荷区内的正负电荷之间形成一个电场，称为自建电场。它使得N区和P区之间存在电势差。 利用光电导效应可以制成各种用途的光电元件，如光电导探测器和光敏电阻等。 它们结构简单，灵敏度高，而且通过选用不同的材料，可以适用于红外辐射到X射线的各种 波长。 发光二极管(L...
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