技术编号：5268330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种破坏金属性(metallic)碳纳米管的方法、一种制造半导电碳纳米管的聚集体(aggregate)的方法、一种制造半导电碳纳米管的薄膜的方法、一种破坏半导电碳纳米管的方法、一种制造金属性碳纳米管的聚集体的方法、一种制造金属性碳纳米管的薄膜的方法、一种制造电子器件的方法、一种制造碳纳米管的聚集体的方法、一种使金属性碳纳米管发生选择性反应的方法和一种使半导电碳纳米管发生选择性反应的方法。本发明将应用于薄膜晶体管(TFT)，在所述薄膜晶体管中，采用...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。