技术编号：5268419
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。包員晶格的 !机电系统(MEMS) M及相关方法狀领域;^发明涉;^半"^4页域，更^^地，本发明涉及包M晶格的半"f^器件 及相关方法。背景絲e^多人提出一些结构和技术械高半科糾的性能，例M过提高电絲流子的ii^多率。例如，Currie等人的美国专利申请2003/0057416^Hf了硅、 硅>^他,的应变材料层，其还包^^无杂质区，而如果不Aib杂质区则将导 致性能斷氐。在Ji^g中得到的^^应变改变了电絲流子的i^多率，并得到 更高速度和/或更...
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