技术编号：5268536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米材料的方法，具体是一种直接用ZnS粉末合成具有疏水性能二氧化硅纳米线的方法。背景技术 半导体纳米线由于尺寸小，具有不同于块体材料的量子限域效应而在许多方面表现出优异性能；同时，随着大规模集成电路线宽的逐渐减小，对于半导体纳米纤维的研究显得尤为重要，半导体纳米线对于将来与集成电路工艺相兼容表现出了良好的潜力。因此，这将使得对于硅及氧化硅纳米线的合成与应用研究被广泛展开。到目前为止，对硅及氧化硅纳米线的合成按照生长机理分主要有VLS法、氧化物...
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