技术编号：5268663
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种，其包括以下步骤沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。专利说明[0001]本发明涉及微电子，特别涉及一种。背景技术[0002]随着MEMS器件和MEMS系统被越来越广泛地应用于汽车和消费电子领域，...
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