技术编号：5268703
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种基于SOI工艺的电磁激励电磁检测的高精度硅微谐振式气压传感器。其核心部件是传感器芯片，由包含SOI工艺制作的单晶硅H型谐振器及单晶硅压力敏感膜的SOI硅片和带有引线通孔的硼硅玻璃盖片通过真空阳极键合形成。单晶硅H型谐振器工作于参考真空中，不受待测气压介质的影响，品质因数较高，频率输出稳定。本发明在实现圆片级真空封装的同时，解决了圆片级封装引线困难的问题。专利说明—种基于SOI工艺的高精度硅微谐振式气压传感器[0001]本发明涉及微电子机械系...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。