技术编号：5268710
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。专利说明提高牺牲层蚀刻速率的方法及由该方法形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。