技术编号：5268865
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及了一种掺杂量及尺寸可调控的掺Sb-ZnO微纳球及其制备方法。 背景技术氧化锌(S1O)作为II-VI族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3. 37eV,同时 ZnO激子束缚能高达60meV，在光电、催化、传感以及生化等不同领域有广阔的应用前景。零维ZnO微纳米结构具有许多新奇的性能，可以用于纳米紫外激光器、发光二极管、场发射晶体管和太阳能电池等纳米光电器件的构建模块，因此成为纳米半导体材料领域研究的新热点ο此外，由于S1O中存在很多的本征缺陷，需...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。