技术编号：5268964
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了，首先利用化学气相沉积方法在金属基底表面生长碳纳米管阵列，然后在碳纳米管表面溅射金属形成纳米颗粒，与目标金属基底对准后，施加一定的压力和环境温度，在两金属基底间连接恒流脉冲电源，通电持续一段时间后断开电源，再保持一定时间，即可实现碳纳米管阵列与金属基底的键合。本发明基于在纳米接触界面的电流集聚和电迁移效应，产生局部焦耳热，促进原子间扩散，实现低温键合，操作简单，与微电子工艺兼容，在碳纳米管器件和电子封装热界面材料领域具有广泛的应用前景。专利说明...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。