技术编号：5269030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，属于纳米材料制备。该方法包括如下步骤将衬底在沉积室内加热到指定温度，通过液态源雾化法将催化剂溶液雾化并喷入沉积室内，常压条件下在衬底表面沉积催化剂膜后，将衬底放入高温炉内并置于保护气体环境中进行热处理，热处理结束冷却至室温后取出衬底，然后用酸液对衬底进行清洗去除杂质，再用超纯水清洗至中性，干燥后即得到硅纳米线。由于本方法常压下即可在衬底表面制备出催化剂膜，解决了溅射或蒸镀镀膜需要长时间抽真空的问题，因而能够显著提高硅纳米线的生产效率，降低成本...
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