技术编号：5269247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略CNTFET的电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的碳纳米场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅，更高的截止频率和更小的延迟时间，即表明采用HALO-Linear掺杂策略的CNTFET具有更好的栅控能力，...
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