一种mems器件双面对通介质隔离结构及制备方法技术资料下载

技术编号:5269500

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本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法,包括硅基体(1)、可动结构(5)以及盖帽(8),可动结构(5)以及盖帽(8)之间用金属粘接剂(7)连接,可动结构(5)与硅基体(1)进行硅硅键合,其特征在于硅基体(1)中设有对通的绝缘深槽,绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅(3),绝缘深槽之间的硅基体(1)形成隔离电极(4),隔离电极(4)上面与可动结构(5)对应配合。专利说明一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法 [00...
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