技术编号：5269575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。本发明以碳纳米球为硬模板，正硅酸四乙酯（TEOS）为硅源，水作溶剂，十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作结构导向剂，通过后续热处理脱除碳球及CTAB等残留有机物，即得形貌均匀、表面褶皱状的中空SiO2纳米材料。从TEM图片可知，本发明制得的SiO2纳米材料，具有中空结构，壁厚约为20 nm，粒径在200 nm左右。该法制备的中空SiO2纳米材料在生物医学等领域具有潜在的应用前景。专利说明 [0001]本发明涉及一种。 背景技术 [0...
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